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China cria memória 10 mil vezes mais rápida que a dos EUA!

Grafeno acelera o futuro da memória.

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China cria memória 10 mil vezes mais rápida que a dos EUA!
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Memória - Créditos: depositphotos.com / jkunnen

A PoX é uma tecnologia de memória criada por pesquisadores da Universidade Fudan, na China. Ela promete transformar o armazenamento de dados com uma velocidade impressionante de até 25 bilhões de bits por segundo. Isso representa um salto enorme em comparação com as memórias flash atuais.

Porém o segredo da velocidade está no uso de grafeno Dirac bidimensional em vez do silício tradicional. Então esse material permite que os elétrons se movam com muito mais eficiência. Assim, a PoX consegue programar um bit em apenas 400 picossegundos.

Como o grafeno ajuda a alcançar essa velocidade?

Assim ao contrário das memórias flash comuns, que enfrentam gargalos de injeção de carga, a PoX resolve esse problema com uma superinjeção bidimensional. Porém essa inovação só foi possível graças à combinação do grafeno com inteligência artificial para otimizar os processos.

Então, os cientistas atingiram o limite teórico de velocidade para memórias não voláteis. O grafeno, por ser altamente condutor e fino, reduz a resistência no transporte de elétrons. Isso acelera as operações de leitura e gravação. Como resultado, o PoX se aproxima da performance das memórias RAM.

Quais aplicações podem se beneficiar da PoX?

As memórias PoX são ideais para tarefas que exigem velocidade e retenção de dados. Isso inclui sistemas de inteligência artificial, que processam grandes volumes de informação. Outro campo que pode se beneficiar é o de smartphones e dispositivos móveis, onde o espaço e o consumo de energia são limitados.

Também há potencial em servidores e data centers, que precisam de desempenho com baixo consumo. Com essa nova tecnologia, os chips podem ser mais compactos e potentes. Assim, o mercado pode evoluir com soluções mais eficientes.

China cria memória 10 mil vezes mais rápida que a dos EUA!
Memória – Créditos: depositphotos.com / norgallery

Quais são os possíveis impactos da PoX na indústria?

  • Pode substituir a SRAM em chips de inteligência artificial
  • Garante menor consumo de energia e mais desempenho
  • Facilita a produção em larga escala com processos existentes
  • Reduz a necessidade de componentes volumosos em dispositivos
  • Ajuda a fortalecer a indústria chinesa de semicondutores
  • Abre caminho para novos avanços em hardware avançado

O que esperar do futuro dessa tecnologia?

  • Expansão da arquitetura PoX em testes com matrizes maiores
  • Integração com tecnologias CMOS já utilizadas na indústria
  • Criação de uma nova classe de memória flash ultrarrápida
  • Crescimento do interesse por materiais 2D nos semicondutores
  • Possíveis aplicações em celulares, computadores e IA avançada
  • Aumento da competitividade global com inovação tecnológica
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