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Kioxia desenvolve a tecnologia OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM)

Publicado

11/12/24 06:32

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A Kioxia Corporation, líder mundial em soluções de memória, anunciou hoje o desenvolvimento da OCTRAM (Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM), um novo tipo de DRAM 4F², composta por um transistor semicondutor de óxido que tem uma alta corrente ON e uma corrente OFF ultrabaixa, simultaneamente. Espera-se que essa tecnologia produza uma DRAM de baixo consumo de energia, trazendoàtona a propriedade de vazamento ultrabaixo do transistor InGaZnO^*1. Isso foi anunciado pela primeira vez na IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), realizada em São Francisco, CA, em 9 de dezembro de 2024. Essa conquista foi desenvolvida em conjunto pela Nanya Technology e pela Kioxia Corporation. Essa tecnologia tem o potencial de reduzir o consumo de energia em uma ampla gama de aplicações, incluindo sistemas de comunicação AI e pós-5G e produtos IoT.

Este comunicado de imprensa inclui multimédia. Veja o comunicado completo aqui: https://www.businesswire.com/news/home/20241209763400/pt/

Fig.1: Cross-sectional TEM image for the InGaZnO vertical transistor (Photo: Business Wire)

O OCTRAM utiliza um transistor vertical InGaZnO em forma de cilindro (Fig. 1) como um transistor de célula. Esse design permite a adaptação de uma DRAM 4F², que oferece vantagens significativas na densidade de memória em comparação com a DRAM 6F² convencional baseada em silício.

O transistor vertical InGaZnO atinge uma alta corrente ON de mais de 15μA/célula (1,5 x 10^-5 A/célula) e uma corrente OFF ultrabaixa abaixo de 1aA/célula (1,0 x 10^-18 A/célula) por meio da otimização do dispositivo e do processo (Fig. 2). Na estrutura do OCTRAM, o transistor vertical de InGaZnO é integrado em cima de um capacitor de alta proporção (processo capacitor-first). Esse arranjo permite o desacoplamento da interação entre o processo avançado do capacitor e o desempenho do InGaZnO (Fig. 3).

*1: InGaZnO é um composto de In(índio), Ga(gálio), Zn(zinco) e O(oxigênio)

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Sobre a Kioxia

A Kioxia é líder mundial em soluções de memória, dedicada ao desenvolvimento, produção e venda de memória flash e unidades de estado sólido (SSDs). Em abril de 2017, sua predecessora Toshiba Memory foi desmembrada da Toshiba Corporation, a empresa que inventou a memória flash NAND em 1987. A Kioxia está comprometida em elevar o mundo com memória, oferecendo produtos, serviços e sistemas que criam opções para os clientes e valor baseado em memória para a sociedade. A inovadora tecnologia de memória flash 3D da Kioxia, BiCS FLASH™, está moldando o futuro do armazenamento em aplicações de alta densidade, incluindo smartphones avançados, PCs, SSDs, automotivos e centros de dados.

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